近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者有重要突破。光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺微缩的核心驱动力之一，“显影”是光刻核心步骤，而光刻胶在显影液中的微观行为长期是“黑匣子”，制约7纳米及以下先进制程良率提升。为破解难题，团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域，在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构等，合成分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”，克服传统技术痛点，还指导开发出减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文刊发于《自然・通讯》。该技术为解析液相反应提供工具，有望推动关键工艺的缺陷控制与良率提升。

股票名称 []板块名称 []光刻技术、冷冻电子断层扫描技术、芯片良率动向丨首次！我国芯片领域取得新突破和讯自选股写手风险提示：以上内容仅作为作者或者嘉宾的观点，不代表和讯的任何立场，不构成与和讯相关的任何投资建议。在作出任何投资决定前，投资者应根据自身情况考虑投资产品相关的风险因素，并于需要时咨询专业投资顾问意见。和讯竭力但不能证实上述内容的真实性、准确性和原创性，对此和讯不做任何保证和承诺。

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